シリコン結晶研究のルネッサンス
炭素
ポリシリコン結晶中の炭素濃度の赤外吸収による測定法
初めに
従来低炭素濃度のポリシリコン測定は装置の限界に近いため、結晶化して行われていた。
ポリシリコンのフォノン吸収は単結晶と違って扱いにくいせいもあった。
しかし、結晶化のプロセスで汚染が起きるという問題があった。
我々は低濃度測定の障害がフォノン吸収であることを明らかにしながら、ポリシリコンでも対策を進め、1014/p3程度の想定を可能にした。
参考
ポリシリコン測定の文献
単結晶に比べて稀、1015/p3程度
Measurement of Carbon Concentration in Polycrystalline Silicon Using FTIR
Lydia L. Hwang1, John Bucci1 and James R. McCormick1
Lydia L. Hwang et al 1991 J. Electrochem. Soc. 138-2, pp. 576 10.1149/1.2085631.
ポリシリコン
低温
Improved Measurement Of Carbon In Poly- And CZ Crystal Silicon By Means Of Low Temperature FTIR
M. Porrini, I. Cr?ssmann, M. G. Pretto, R. Scala and R. Wolf
Solid State Phenomena Vols. 108-109 (December 2005) pp. 591-595
ポリシリコン
低温
1x1015/p3