1軽元素と真性点欠陥の複合体の赤外吸収の概要
シリコン単結晶は信号デバイスとパワーデバイスの基板として用いられ、主に含まれる酸素と炭素の不純物は、デバイス特性を左右するため、その濃度や挙動は重要です。
濃度はシリコン基板の最重要な仕様であり、赤外吸収法が公式の測定法として用いられています。
窒素は、1995年にMOSデバイスの酸化膜耐圧不良の原因として空洞欠陥が発見されてからgrown-in欠陥の抑制法として窒素ドーピングが盛んとなり、研究も盛んになりました。
水素は、以前から水素パッシベーション関連などで研究されています。
粒子線照射誘起の不純物・真性点欠陥複合体は、その研究の手段として、また放射線の強い宇宙空間や原子炉周りのデバイスの耐放射線強化の研究手段として研究が盛んです。

2 データベース
軽元素不純物と真性点欠陥の複合体の吸収は、種類が多いため、研究開発で検出した場合には、同定するために過去の研究報告の全てに目を通さなければなりません。その上、問題としている吸収のピーク位置が文献と異なっていたり、報告されていなかったり、文献によって同定が異なっていたり、間違っていたりします。
そこで既存文献をもとにしたデータベースがあると便利ですが存在しません。
このため、年から、照射誘起複合体の研究成果を学術誌に掲載する際に関連の部分のデータベースをを付録などの形で学術誌に発表してきました。
しかし紙面に限りがあることから、出典などを十分に載せられませんでした。
そこでここにHPでの形で公表を始めることにします。

common type:	1	2	3	4	5	6	7	dipole
Cs	605	1206						1
LT	607
Oi	514	1107						3.85
LT	515	1136
VO	531	830	876					3.4
LT	534	835.8	865.3	1370
VO-	877.1	--	--
LT	545	885.2	1430.1
formed by annealing:
VO2	889							1.7
LT	895.5
V2O2	829
LT	923	1000
VO2*		1000
LT	928.4	1003.8
V2O	826
LT	833.4		990
V2O2
V3O	839
LT	842.4
VO3	905	969	1000	985
LT	910	975.9		1105	991
VO3C	902	956	1025
LT
VO4	985	1009
LT	991	1014
VO5, VO6
LT	991	1011	1024	1040.6	1042.7	1056	1062
	1097	1099	1108
C-rich type:
Ci LT	922	932
CiOi	527	537	545	583	738	862	1109	1.2
LT	529.6	542	549.8	588	742.8	865.9	1116.3
ICiOi	936	1020						1.2
LT	939.8	1024.2
ICi	954	962						1.3
LT	960.1	966.7
I2CiOi	994							3.4
LT	998
I3CiOi	988							3.4
	991
formed by annealing:								dipole
CsO	585	635	685	1096	1104
LT	588.5			1104	1104.2			2.4
CsO2	1048	1094						2.4
LT		1099.5
ICiOi* LT	724.5	952.1	973.1
ICiOi**	947	966						1
LT	951.3	969.3	977.8
#1020	1020							1.2
C-lean type:
I Oi	944.3	956.2?
LT		911	1031
IO2i		911	1031
LT	545	922.2	1037.2
I2O2i		916
LT	545	918	1034
IO3i
LT	956	1054
I2Oi	936
O2i	552	686	1013	1062	1105?
LT	555.8	690.1	1012.4	1059.8	1105.3
O3i
LT		1006
O-lean type:
CiCs(G)			576		726
LT	540.6	543.3	579.8	640.6	730.4	842.4
CsCs	527.4	748.7
LT	578	730	975	988	999	1006	1013
TDD	580	730			1000
LT
intrinsic point defect cluster
V2 (1.8 mm)	2766
	1.7um
I3 (W) LT	62.7meV
LT	564.6
I4 (X) LT	66.2meC	67.9mmeV	69.0meV
LT	534	548	557
nitrogen
NN	766	963						0.9
(NN)O	801	996	1027
O(NN)O	810	1018
shallow thermal donor
NO	714	946
(NO)O	736?
O(NO)
O(NO)O	973	1002
ONO	855	1065
ONO,LT	860	1070

Ns(VN)	653
Ni	551
VNs	688
VN2	725	778						0.9
V2N2	687

H-point defects
VH	2067.5
VH2	2121.3	2143.8			77K	Nielsen	Mater.Sci. Eng. B	36	1996	259-263
	2122.4	2145.2			5K	Fukata	J. Appl. Phys.	91	2002	5831-5839
VH3	2167	2191.8			5K	Fukata	J. Appl. Phys.	88	2000	4525-4530
						Fukata	J. Appl. Phys.	87	2000	8361-8367
VH3	2155	2185			77K	Nielsen	private commun.
VH4	2221.9				5K	Nielsen	Mater.Sci. Eng. B	36	1996	259
	2222.9				5K	Fukata	J. Appl. Phys.	87	2000	8361-8367
V2H2	2072.5				5K

IH2	1987.2	1990.1	743.1	748	7K	Suezawa	Phys. Rev. B	63	2000	35201
I2H2	1870.2				7K	Suezawa	Phys. Rev. B	63	2000	35201

H2*	1838.3	2061.5	817.2		77K	Holbech	Phys. Rev. Lett.	71	1993	875
	1838.7	2062.1	817.6		7K	Suezawa	Phys. Rev. B	63	2000	35201
H2	3618				10K	Pritchard	Phys. Rev. B	57	1998	R15048-R15051
	3618.9				5K	Fukata	JJAP	40	2001	L854-L856

V2-	2766	2892				Cheng	Phy. Rev.	152	1966	761
						Fukata	J. Appl. Phys.	91	2002	5831-5839
H-dopant: passivation

Si-H-B	1907				4.2K	Stavola	App. Phys. Lett.	50	1987	1086-1088
Si-H-Al	2201				4.2K	Stavola	App. Phys. Lett.	50	1987	1086-1088
Si-H-Ga	2171				4.2K	Stavola	App. Phys. Lett.	50	1987	1086-1088

P-Si-H	809.4	1555.2	1647		4.2K	Bergman	Phys. Rev. B	37	1988	2770-2773
As-Si-H	809.8	1561	1661		4.2K	Bergman	Phys. Rev. B	37	1988	2770-2773
Sb-Si-H	809.6	1561.7	1671		4.2K	Bergman	Phys. Rev. B	37	1988	2770-2773

サーマルドナーによる吸収
Thermal Double Donors and Quantum Dots
J. Coutinho and R. Jones, L. I. Murin, V. P. arkevich, J. L. Lindstrom, S. Oberg and P. R. Briddon
Phys. Rev. Lett., 87(23), 235501-1-4 (2001), DOI: 10.1103/PhysRevLett.87.235501.

N	1	2	3	4
cm-1	975	988	999	1006

300 K
945-1000, 700-730,-580 cm-1

Thermal double donor annihilation and oxygen precipitation at around 650 ?C in Czochralski-grown Si: local vibrational mode studies
L. I. Murin, J. L. Lindstr¨om, V. P. Markevich, A. Misiuk and C. A. Londos
J. Phys.: Condens. Matter 17 (2005) S2237-S2246. doi:10.1088/0953-8984/17/22/011

シリコン結晶の赤外吸収のデータベース