1.適用範囲
（１）格子間酸素が1-2ｘ1017/p3程度
酸素濃度は一般に約5ｘ1017/p3を中心とする広い範囲にわたっており、この制限は特殊な試料であり、実用性がない
市販シリコンウエハの大部分に使えない
この範囲しか使えないということは差が無いと見なす近似の限界を意味しており、範囲付近では近似が破れ始めることを意味している。
そもそも影響がないと見なせること（精度内）の根拠が不明である。
未知の試料は事前に酸素濃度を測らなければ使えるかどうかも分からない
(2)抵抗率範囲、ｐ型で1ｋΩ程度、ｎ型で50Ωｃｍ以上
これも狭すぎて、通常の基板は対象外となり、この制限は特殊な試料であり、実用性がない
この範囲しか使えないということは差が無いと見なす近似の限界を意味しており、範囲付近では近似が破れ始めることを意味している。
未知の試料は事前に酸素濃度を測らなければ使えるかどうかも分からない
(3)測定濃度範囲 1ｘ1014-3ｘ1015/p3
この範囲は現行の赤外吸収法の範囲である。
ＡＳＴＭ/ＳＥＭＩ規格の検出下限は1990年に5ｘ1014/p3とされてから、改訂できていない
2011年のアボガドロ結晶関連の論文で2ｘ1014/p3が報告されており、1ｘ1014/p3には何の問題も無い。
なお、すでに1013p3までの測定が報告されている。
従って、この方法には意味が無い
試料条件として2つしか書かれていないが、例えば結晶品質により発光強度は桁違いに代わり、ノーマライズでは近似にしかならないことは良く知られている。
2.
(5) G-line、Ｃ−ｌｉｎｅ
3.試料
3.2 発光活性化
電子線照射は国研など外部に委託しなくてはならない。それには1試料でも費用と期間を要するため実用性に欠ける。
複数試料を同時に照射する場合には照射電子線の不均一が問題となる。
照射電流の測定には数え落としが避けられず、名目電流は実際の値とは異なる。
また、場所または日を変えて依頼した場合には再現性の保証がない。
(1)加速エネルギ―1ＭｅＶ
ＣｉＣｓの形成量は、単純に考えても加速エネルギーに依存する。数％の精度で制御するためには1.00ＭｅＶとの指定が必要である。
電子線照射装置はクリーンルームのような制御された正常な環境にはおかれていない。
また加速エネルギの測定制御精度は緩い。実施不能であろう。
また加速エネルギが同じでも、例えば試料厚さが変わると内部での反応も変わる。これも電子線照射に無知の表れである。
（２）線量1x1015e/p2
電子線照射中のCiCs形成は、格子間シリコンSiiの形成と、それからSiiが格子点の置換型炭素Csを追い出して格子間炭素Ciを形成する過程から始まる。
複雑で並行反応、二次反応、逆反応により20種程度の別の複合体を形成する反応の一環である。
最初の格子間シリコンの形成量は、電流密度により桁違いに変化する。以下の反応も電流により千差万別である。
規格では電流密度と照射時間が記載されていない。従って照射条件が不明で照射が不可能である。
電池の直接と並列の区別がないのと同じで、電子線照射に対する無知を象徴している。
即ちこの規格は実施不能である。
なお、線量も1.00x1015/p2との記載が必要である。これも実施不能であろう。
電子線照射誘起複合体の研究論文で1MeVとか10015/p2とか書かれているのは、内容が全て定性的だからである。
それを定量性を目的とする文書で無自覚にマネするのは「測定法規格で必須な量を扱う意識に欠けている」からであろう。
IV.規格項目の説明
3.2.発光活性化
8．に示した「強度比のずれは20％以内」を超えることは無かった。
強度比のずれを20％まで許容するとは驚きである。測定法規格に必須の定量性・精度が無いことを自ら述べているに等しい。
委員構成表
「委員名非表示」は奇異である。
制定経緯や内容の透明性に疑問を生じる
「執筆者 田島道夫」も奇異である。
1委員のみによる執筆は公式文書の信頼性に疑念を与える。